MICROCHIP
Диод MX1N8149US
Фото уточняется
- Type of diode
- TVS
- Peak pulse power dissipation
- 0.15kW
- Max. off-state voltage
- 6.8V
- Breakdown voltage
- 7.79V
- Max. forward impulse current
- 11.7A
- Semiconductor structure
- unidirectional
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | MX1N8149US |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of diode | TVS |
| Peak pulse power dissipation | 0.15kW |
| Max. off-state voltage | 6.8V |
| Breakdown voltage | 7.79V |
| Max. forward impulse current | 11.7A |
| Semiconductor structure | unidirectional |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Leakage current | 20µA |
| Number of channels | 1 |
| Ёмкость | 4pF |
| Рабочая температура | -55...175°C |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 0.15kW; 7.79V; 11.7A; unidirectional; Ch: 1; 4pF
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.