Антава

IXYS

Транзистор MWI200-06A8

Фото уточняется
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage
0.6kV
Collector current
115A
Корпус
E3-Pack
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMWI200-06A8
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
TopologyIGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage0.6kV
Collector current115A
КорпусE3-Pack
Applicationmotors
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current400A
Power dissipation675W
TechnologyNPT
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge

Документация

Документы пока не предоставлены.