Антава

ONSEMI

Транзистор MVSF2N02ELT1G

MVSF2N02ELT1G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
2.8 A
Pulsed drain current
5 A
Power dissipation
1.25 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMVSF2N02ELT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current2.8 A
Pulsed drain current5 A
Power dissipation1.25 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance85 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge3.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 5A; 1.25W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.