Антава

ONSEMI

Транзистор MVGSF1N03LT1G

MVGSF1N03LT1G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
2.1 A
Power dissipation
0.69 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMVGSF1N03LT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current2.1 A
Power dissipation0.69 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance80 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; 690mW; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.