Антава

ONSEMI

Транзистор MVGSF1N02LT1G

MVGSF1N02LT1G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
0.75 A
Pulsed drain current
2 A
Power dissipation
0.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMVGSF1N02LT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current0.75 A
Pulsed drain current2 A
Power dissipation0.4 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance90 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 2A; 400mW; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.