MICROCHIP
Диод MUPT24E3
ДиодИзображение корпуса
- Type of diode
- TVS
- Peak pulse power dissipation
- 1 kW
- Max. off-state voltage
- 24 V
- Breakdown voltage
- 28.4 V
- Max. forward impulse current
- 3.47 A
- Semiconductor structure
- unidirectional
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | MUPT24E3 |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of diode | TVS |
| Peak pulse power dissipation | 1 kW |
| Max. off-state voltage | 24 V |
| Breakdown voltage | 28.4 V |
| Max. forward impulse current | 3.47 A |
| Semiconductor structure | unidirectional |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Leakage current | 1 µA |
| Количество каналов | 1 |
| Рабочая температура | -65...150 °C |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 1kW; 28.4V; 3.47A; unidirectional; Ch: 1; -65÷150°C
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.