Антава

ONSEMI

Транзистор MUN5312DW1T1G

MUN5312DW1T1G
Type of transistor
NPN / PNP
Polarisation
bipolar
Kind of transistor
BRT, complementary pair
Collector-emitter voltage
50V
Collector current
0.1A
Power dissipation
0.385W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMUN5312DW1T1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorNPN / PNP
Polarisationbipolar
Kind of transistorBRT, complementary pair
Collector-emitter voltage50V
Collector current0.1A
Power dissipation0.385W
КорпусSC70-6, SC88, SOT363
Current gain100 (единица не указана)
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Base resistor22kΩ
Base-emitter resistor22kΩ
Исходное описание поставщика

Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A

Документация

Документ производителя