Антава

ONSEMI

Транзистор MUN5213DW1T1G

MUN5213DW1T1G
Type of transistor
NPN x2
Polarisation
bipolar
Kind of transistor
BRT
Collector-emitter voltage
50 V
Collector current
0.1 A
Power dissipation
0.25 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMUN5213DW1T1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorNPN x2
Polarisationbipolar
Kind of transistorBRT
Collector-emitter voltage50 V
Collector current0.1 A
Power dissipation0.25 W
КорпусSC70-6, SC88, SOT363
Current gain140 A
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Base resistor47 kΩ
Base-emitter resistor47 kΩ
Manufacturer standard package3000pcs.
Исходное описание поставщика

Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 47kΩ; R2: 47kΩ

Документация

Документ производителя