Антава

ONSEMI

Транзистор MUN5212T1G

MUN5212T1G
Type of transistor
NPN
Polarisation
bipolar
Kind of transistor
BRT
Collector-emitter voltage
50 V
Collector current
0.1 A
Power dissipation
0.31 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMUN5212T1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorNPN
Polarisationbipolar
Kind of transistorBRT
Collector-emitter voltage50 V
Collector current0.1 A
Power dissipation0.31 W
КорпусSC70, SOT323
Current gain60...100
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Base resistor22 kΩ
Base-emitter resistor22 kΩ
Manufacturer standard package3000pcs.
Исходное описание поставщика

Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 310mW; SC70,SOT323

Документация

Документы пока не предоставлены.