Антава

ONSEMI

Резистор MUN5212DW1T1G

MUN5212DW1T1G
Type of transistor
NPN x2
Polarisation
bipolar
Kind of transistor
BRT
Collector-emitter voltage
50 V
Collector current
0.1 A
Power dissipation
0.385 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMUN5212DW1T1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorNPN x2
Polarisationbipolar
Kind of transistorBRT
Collector-emitter voltage50 V
Collector current0.1 A
Power dissipation0.385 W
КорпусSC70-6, SC88, SOT363
Current gain60...100
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Base resistor22 kΩ
Base-emitter resistor22 kΩ
Manufacturer standard package3000pcs.
Исходное описание поставщика

Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 385mW; R1: 22kΩ

Документация

Документы пока не предоставлены.