Антава

IXYS

MTI85W100GC-SMD

Фото уточняется
Type of semiconductor module
BJT transistor
Drain-source voltage
100 V
Drain current
120 A
Корпус
Gull wing, ISOPLUS-DIL™
On-state resistance
4 mΩ
Power dissipation
1.2 kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMTI85W100GC-SMD
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleBJT transistor
Drain-source voltage100 V
Drain current120 A
КорпусGull wing, ISOPLUS-DIL™
On-state resistance4 mΩ
Power dissipation1.2 kW
ТехнологияTrench
Kind of channelenhancement
Gate charge88nC
Reverse recovery time45ns
Gate-source voltage-15...15 V
МонтажSMD — поверхностный
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Module; 100V; 120A; Gull wing,ISOPLUS-DIL™; 1.2kW; Trench; 88nC

Документация

Документы пока не предоставлены.