Антава

IXYS

Транзистор MTI200WX75GD-SMD

Type of semiconductor module
BJT transistor
Drain-source voltage
75 V
Drain current
255 A
Корпус
ISOPLUS-DIL™
On-state resistance
1.3 mΩ
Технология
Trench
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMTI200WX75GD-SMD
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleBJT transistor
Drain-source voltage75 V
Drain current255 A
КорпусISOPLUS-DIL™
On-state resistance1.3 mΩ
ТехнологияTrench
Kind of channelenhancement
Gate charge155nC
Reverse recovery time42ns
Gate-source voltage15 V
МонтажSMD — поверхностный
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Module; 75V; 255A; ISOPLUS-DIL™; Trench; Channel: enhancement; 42ns

Документация

Документы пока не предоставлены.