Антава

MICROCHIP

Диод MSMLJ8.0AE3

MSMLJ8.0AE3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
3kW
Max. off-state voltage
8V
Breakdown voltage
8.89V
Semiconductor structure
unidirectional
Корпус
DO214AB, SMC
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMLJ8.0AE3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation3kW
Max. off-state voltage8V
Breakdown voltage8.89V
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Рабочая температура-65...150°C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 3kW; 8.89V; unidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.