MICROCHIP
Диод MSMLJ60A
Фото недоступно- Type of diode
- TVS
- Peak pulse power dissipation
- 3 kW
- Max. off-state voltage
- 60 V
- Breakdown voltage
- 66.7 V
- Max. forward impulse current
- 31 A
- Semiconductor structure
- unidirectional
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | MSMLJ60A |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of diode | TVS |
| Peak pulse power dissipation | 3 kW |
| Max. off-state voltage | 60 V |
| Breakdown voltage | 66.7 V |
| Max. forward impulse current | 31 A |
| Semiconductor structure | unidirectional |
| Корпус | DO214AB, SMC |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Leakage current | 2 µA |
| Number of channels | 1 |
| Рабочая температура | -65...150 °C |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 3kW; 66.7V; 31A; unidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.