Антава

MICROCHIP

Диод MSMLJ58CAE3/TR

MSMLJ58CAE3/TR
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
3 kW
Max. off-state voltage
58 V
Breakdown voltage
64.4 V
Max. forward impulse current
32 A
Semiconductor structure
bidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMLJ58CAE3/TR
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation3 kW
Max. off-state voltage58 V
Breakdown voltage64.4 V
Max. forward impulse current32 A
Semiconductor structurebidirectional
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Kind of packagereel, tape
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 3kW; 64.4V; 32A; bidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.