Антава

MICROCHIP TECHNOLOGY

Диод MSMLJ58CAE3

MSMLJ58CAE3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
3kW
Max. off-state voltage
58V
Breakdown voltage
67.8V
Max. forward impulse current
32A
Semiconductor structure
bidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMLJ58CAE3
ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation3kW
Max. off-state voltage58V
Breakdown voltage67.8V
Max. forward impulse current32A
Semiconductor structurebidirectional
Tolerance±5%
КорпусDO214AB
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current2µA
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 3kW; 67.8V; 32A; bidirectional; ±5%; DO214AB

Документация

Документ производителя