Антава

MICROCHIP

Диод MSMLJ51CAE3

MSMLJ51CAE3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
3 kW
Max. off-state voltage
51 V
Breakdown voltage
59.7 V
Max. forward impulse current
36.4 A
Semiconductor structure
bidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMLJ51CAE3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation3 kW
Max. off-state voltage51 V
Breakdown voltage59.7 V
Max. forward impulse current36.4 A
Semiconductor structurebidirectional
Допуск±5%
КорпусDO214AB
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current2 µA
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 3kW; 59.7V; 36.4A; bidirectional; ±5%; DO214AB

Документация

Документ производителя