Антава

MICROCHIP

Диод MSMLJ51AE3/TR

MSMLJ51AE3/TR
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
3 kW
Max. off-state voltage
51 V
Breakdown voltage
56.7 V
Max. forward impulse current
36.4 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMLJ51AE3/TR
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation3 kW
Max. off-state voltage51 V
Breakdown voltage56.7 V
Max. forward impulse current36.4 A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Kind of packagereel, tape
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 3kW; 56.7V; 36.4A; unidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.