Антава

MICROCHIP TECHNOLOGY

Диод MSMLJ51AE3

MSMLJ51AE3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
3kW
Max. off-state voltage
51V
Breakdown voltage
59.7V
Max. forward impulse current
36.4A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMLJ51AE3
ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation3kW
Max. off-state voltage51V
Breakdown voltage59.7V
Max. forward impulse current36.4A
Semiconductor structureunidirectional
Tolerance±5%
КорпусDO214AB
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current2µA
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 3kW; 59.7V; 36.4A; unidirectional; ±5%; DO214AB

Документация

Документ производителя