Антава

MICROCHIP TECHNOLOGY

Диод MSMLJ45AE3/TR

MSMLJ45AE3/TR
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
3kW
Max. off-state voltage
45V
Breakdown voltage
50V
Max. forward impulse current
41.2A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMLJ45AE3/TR
ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation3kW
Max. off-state voltage45V
Breakdown voltage50V
Max. forward impulse current41.2A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Kind of packagereel, tape
Рабочая температура-65...150°C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 3kW; 50V; 41.2A; unidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.