MICROCHIP
Диод MSMLJ45AE3
- Type of diode
- TVS
- Peak pulse power dissipation
- 3 kW
- Max. off-state voltage
- 45 V
- Breakdown voltage
- 52.7 V
- Max. forward impulse current
- 41.2 A
- Semiconductor structure
- unidirectional
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | MSMLJ45AE3 |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of diode | TVS |
| Peak pulse power dissipation | 3 kW |
| Max. off-state voltage | 45 V |
| Breakdown voltage | 52.7 V |
| Max. forward impulse current | 41.2 A |
| Semiconductor structure | unidirectional |
| Tolerance | ±5% |
| Корпус | DO214AB |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Leakage current | 2 µA |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 3kW; 52.7V; 41.2A; unidirectional; ±5%; DO214AB
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.