Антава

MICROCHIP

Диод MSMLJ33AE3/TR

MSMLJ33AE3/TR
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
3kW
Max. off-state voltage
33V
Breakdown voltage
36.7V
Max. forward impulse current
56.2A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMLJ33AE3/TR
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation3kW
Max. off-state voltage33V
Breakdown voltage36.7V
Max. forward impulse current56.2A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Kind of packagereel, tape
Рабочая температура-65...150°C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 3kW; 36.7V; 56.2A; unidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.