Антава

MICROCHIP TECHNOLOGY

Диод MSMLJ17AE3/TR

MSMLJ17AE3/TR
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
3kW
Max. off-state voltage
17V
Breakdown voltage
18.9V
Max. forward impulse current
106.6A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMLJ17AE3/TR
ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation3kW
Max. off-state voltage17V
Breakdown voltage18.9V
Max. forward impulse current106.6A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current2µA
Number of channels1
Kind of packagereel, tape
Рабочая температура-65...150°C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 3kW; 18.9V; 106.6A; unidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.