Антава

MICROCHIP

Диод MSMLJ17AE3

MSMLJ17AE3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
3 kW
Max. off-state voltage
17 V
Breakdown voltage
18.9 V
Max. forward impulse current
106.6 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMLJ17AE3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation3 kW
Max. off-state voltage17 V
Breakdown voltage18.9 V
Max. forward impulse current106.6 A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current2 µA
Number of channels1
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 3kW; 18.9V; 106.6A; unidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.