MICROCHIP TECHNOLOGY
Диод MSMLJ16AE3
Фото недоступно- Type of diode
- TVS
- Peak pulse power dissipation
- 3kW
- Max. off-state voltage
- 16V
- Breakdown voltage
- 17.8V
- Max. forward impulse current
- 115.4A
- Semiconductor structure
- unidirectional
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | MSMLJ16AE3 |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Type of diode | TVS |
| Peak pulse power dissipation | 3kW |
| Max. off-state voltage | 16V |
| Breakdown voltage | 17.8V |
| Max. forward impulse current | 115.4A |
| Semiconductor structure | unidirectional |
| Корпус | DO214AB, SMC |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Number of channels | 1 |
| Рабочая температура | -65...150°C |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 3kW; 17.8V; 115.4A; unidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.