Антава

MICROCHIP

Диод MSMLJ11CAE3/TR

MSMLJ11CAE3/TR
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
3kW
Max. off-state voltage
11V
Breakdown voltage
12.2V
Max. forward impulse current
164.8A
Semiconductor structure
bidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMLJ11CAE3/TR
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation3kW
Max. off-state voltage11V
Breakdown voltage12.2V
Max. forward impulse current164.8A
Semiconductor structurebidirectional
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Kind of packagereel, tape
Рабочая температура-65...150°C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 3kW; 12.2V; 164.8A; bidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.