Антава

MICROCHIP

Диод MSMLJ10AE3/TR

MSMLJ10AE3/TR
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
3 kW
Max. off-state voltage
10 V
Breakdown voltage
11.1 V
Корпус
DO214AB, SMC
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMLJ10AE3/TR
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation3 kW
Max. off-state voltage10 V
Breakdown voltage11.1 V
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Kind of packagereel, tape
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 3kW; 11.1V; DO214AB,SMC; Ch: 1; reel,tape; -65÷150°C

Документация

Документы пока не предоставлены.