Антава

MICROCHIP

Диод MSMLJ100CAE3

MSMLJ100CAE3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
3kW
Max. off-state voltage
0.1kV
Breakdown voltage
111V
Max. forward impulse current
18.6A
Semiconductor structure
bidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMLJ100CAE3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation3kW
Max. off-state voltage0.1kV
Breakdown voltage111V
Max. forward impulse current18.6A
Semiconductor structurebidirectional
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Рабочая температура-65...150°C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 3kW; 111V; 18.6A; bidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.