Антава

MICROCHIP

Диод MSMLJ100AE3/TR

MSMLJ100AE3/TR
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
3 kW
Max. off-state voltage
0.1 kV
Breakdown voltage
111 V
Корпус
DO214AB, SMC
Монтаж
SMD — поверхностный

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяMSMLJ100AE3/TR
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation3 kW
Max. off-state voltage0.1 kV
Breakdown voltage111 V
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Kind of packagereel, tape
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 3kW; 111V; DO214AB,SMC; Ch: 1; reel,tape; -65÷150°C

Документация

Документы пока не предоставлены.