Антава

MICROCHIP

Диод MSMLG8.0AE3

MSMLG8.0AE3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
3 kW
Max. off-state voltage
8 V
Breakdown voltage
8.89 V
Max. forward impulse current
220.6 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMLG8.0AE3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation3 kW
Max. off-state voltage8 V
Breakdown voltage8.89 V
Max. forward impulse current220.6 A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусSMC
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current50 µA
Number of channels1
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 3kW; 8.89V; 220.6A; unidirectional; SMC; Ch: 1; -65÷150°C

Документация

Документы пока не предоставлены.