Антава

MICROCHIP

Диод MSMLG58AE3

MSMLG58AE3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
3kW
Max. off-state voltage
58V
Breakdown voltage
64.4V
Max. forward impulse current
32A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMLG58AE3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation3kW
Max. off-state voltage58V
Breakdown voltage64.4V
Max. forward impulse current32A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусSMC
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Рабочая температура-65...150°C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 3kW; 64.4V; 32A; unidirectional; SMC; Ch: 1; -65÷150°C

Документация

Документы пока не предоставлены.