Антава

MICROCHIP

Диод MSMLG33CAE3

MSMLG33CAE3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
3 kW
Max. off-state voltage
33 V
Breakdown voltage
36.7 V
Max. forward impulse current
56.2 A
Semiconductor structure
bidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMLG33CAE3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation3 kW
Max. off-state voltage33 V
Breakdown voltage36.7 V
Max. forward impulse current56.2 A
Semiconductor structurebidirectional
КорпусSMC
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current2 µA
Number of channels1
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 3kW; 36.7V; 56.2A; bidirectional; SMC; Ch: 1; -65÷150°C

Документация

Документы пока не предоставлены.