Антава

MICROCHIP

Диод MSMCJLCE80AE3

MSMCJLCE80AE3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
1.5 kW
Max. off-state voltage
80 V
Breakdown voltage
88.7 V
Корпус
DO214AB, SMC
Монтаж
SMD — поверхностный

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяMSMCJLCE80AE3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation1.5 kW
Max. off-state voltage80 V
Breakdown voltage88.7 V
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Ёмкость90 pF
Number of channels1
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 1.5kW; 88.7V; DO214AB,SMC; Ch: 1; -65÷150°C

Документация

Документы пока не предоставлены.