Антава

MICROCHIP

Диод MSMCJLCE8.5AE3/TR

MSMCJLCE8.5AE3/TR
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
1.5 kW
Max. off-state voltage
8.5 V
Breakdown voltage
9.44 V
Max. forward impulse current
100 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMCJLCE8.5AE3/TR
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation1.5 kW
Max. off-state voltage8.5 V
Breakdown voltage9.44 V
Max. forward impulse current100 A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Kind of packagereel, tape
Ёмкость0.1 nF
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 1.5kW; 9.44V; 100A; unidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.