Антава

MICROCHIP

Диод MSMCJ9.0CAE3

MSMCJ9.0CAE3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
1.5 kW
Max. off-state voltage
9 V
Breakdown voltage
10 V
Max. forward impulse current
97.4 A
Semiconductor structure
bidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMSMCJ9.0CAE3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation1.5 kW
Max. off-state voltage9 V
Breakdown voltage10 V
Max. forward impulse current97.4 A
Semiconductor structurebidirectional
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current10 µA
Number of channels1
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 1.5kW; 10V; 97.4A; bidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.