Антава

MICROCHIP TECHNOLOGY

Диод MSMCJ51AE3

MSMCJ51AE3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
1.5kW
Max. off-state voltage
51V
Breakdown voltage
56.7V
Max. forward impulse current
18.2A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMCJ51AE3
ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation1.5kW
Max. off-state voltage51V
Breakdown voltage56.7V
Max. forward impulse current18.2A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Рабочая температура-65...150°C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 1.5kW; 56.7V; 18.2A; unidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.