Антава

MICROCHIP

Диод MSMCJ33CAE3

MSMCJ33CAE3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
1.5 kW
Max. off-state voltage
33 V
Breakdown voltage
36.7 V
Max. forward impulse current
28.1 A
Semiconductor structure
bidirectional

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяMSMCJ33CAE3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation1.5 kW
Max. off-state voltage33 V
Breakdown voltage36.7 V
Max. forward impulse current28.1 A
Semiconductor structurebidirectional
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 1.5kW; 36.7V; 28.1A; bidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.