Антава

MICROCHIP

Диод MSMCJ10AE3

MSMCJ10AE3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
1.5 kW
Max. off-state voltage
10 V
Breakdown voltage
11.1 V
Max. forward impulse current
88.2 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMCJ10AE3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation1.5 kW
Max. off-state voltage10 V
Breakdown voltage11.1 V
Max. forward impulse current88.2 A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 1.5kW; 11.1V; 88.2A; unidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.