Антава

MICROCHIP

Диод MSMCJ100AE3

MSMCJ100AE3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
1.5kW
Max. off-state voltage
0.1kV
Breakdown voltage
111V
Max. forward impulse current
9.3A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMCJ100AE3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation1.5kW
Max. off-state voltage0.1kV
Breakdown voltage111V
Max. forward impulse current9.3A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Рабочая температура-65...150°C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 1.5kW; 111V; 9.3A; unidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.