Антава

MICROCHIP

Диод MSMCGLCE33AE3

MSMCGLCE33AE3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
1.5 kW
Max. off-state voltage
33 V
Breakdown voltage
36.7 V
Корпус
DO214AB, SMC
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMCGLCE33AE3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation1.5 kW
Max. off-state voltage33 V
Breakdown voltage36.7 V
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Ёмкость0.1 nF
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 1.5kW; 36.7V; DO214AB,SMC; Ch: 1; 100pF; -65÷150°C

Документация

Документы пока не предоставлены.