Антава

MICROCHIP

Диод MSMCGLCE11AE3

MSMCGLCE11AE3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
1.5 kW
Max. off-state voltage
11 V
Breakdown voltage
12.2 V
Max. forward impulse current
82 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMCGLCE11AE3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation1.5 kW
Max. off-state voltage11 V
Breakdown voltage12.2 V
Max. forward impulse current82 A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current5 µA
Number of channels1
Ёмкость0.1 nF
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 1.5kW; 12.2V; 82A; unidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.