Антава

MICROCHIP

Диод MSMBJSAC10E3

MSMBJSAC10E3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.5 kW
Max. off-state voltage
10 V
Breakdown voltage
11.1 V
Max. forward impulse current
29 A
Semiconductor structure
unidirectional

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяMSMBJSAC10E3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.5 kW
Max. off-state voltage10 V
Breakdown voltage11.1 V
Max. forward impulse current29 A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AA, SMB
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Ёмкость30 pF
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 0.5kW; 11.1V; 29A; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.