Антава

MICROCHIP

Диод MSMBJ9.0CAE3

MSMBJ9.0CAE3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.6 kW
Max. off-state voltage
9 V
Breakdown voltage
10 V
Max. forward impulse current
39 A
Semiconductor structure
bidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMBJ9.0CAE3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.6 kW
Max. off-state voltage9 V
Breakdown voltage10 V
Max. forward impulse current39 A
Semiconductor structurebidirectional
КорпусDO214AA, SMB
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 0.6kW; 10V; 39A; bidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.