Антава

MICROCHIP

Диод MSMBJ8.5AE3

MSMBJ8.5AE3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.6 kW
Max. off-state voltage
8.5 V
Breakdown voltage
9.44 V
Max. forward impulse current
41.7 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMBJ8.5AE3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.6 kW
Max. off-state voltage8.5 V
Breakdown voltage9.44 V
Max. forward impulse current41.7 A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AA, SMB
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 0.6kW; 9.44V; 41.7A; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.