Антава

MICROCHIP

Диод MSMBJ58AE3/TR

MSMBJ58AE3/TR
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.6kW
Max. off-state voltage
58V
Breakdown voltage
64.4V
Max. forward impulse current
6.4A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMBJ58AE3/TR
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.6kW
Max. off-state voltage58V
Breakdown voltage64.4V
Max. forward impulse current6.4A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AA, SMB
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current1µA
Number of channels1
Kind of packagereel, tape
Рабочая температура-65...150°C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 0.6kW; 64.4V; 6.4A; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.