Антава

MICROCHIP

Диод MSMBJ48AE3/TR

MSMBJ48AE3/TR
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.6 kW
Max. off-state voltage
48 V
Breakdown voltage
53.3 V
Max. forward impulse current
7.7 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMSMBJ48AE3/TR
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.6 kW
Max. off-state voltage48 V
Breakdown voltage53.3 V
Max. forward impulse current7.7 A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AA, SMB
МонтажSMD — поверхностный
Количество каналов1
Kind of packagereel, tape
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 0.6kW; 53.3V; 7.7A; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.