Антава

MICROCHIP

Диод MSMBJ48AE3

MSMBJ48AE3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.6 kW
Max. off-state voltage
48 V
Breakdown voltage
53.3 V
Max. forward impulse current
7.7 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMBJ48AE3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.6 kW
Max. off-state voltage48 V
Breakdown voltage53.3 V
Max. forward impulse current7.7 A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AA, SMB
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current1 µA
Number of channels1
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 0.6kW; 53.3V; 7.7A; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.