Антава

MICROCHIP

Диод MSMBJ45AE3/TR

MSMBJ45AE3/TR
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.6 kW
Max. off-state voltage
45 V
Breakdown voltage
50 V
Max. forward impulse current
8.3 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMBJ45AE3/TR
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.6 kW
Max. off-state voltage45 V
Breakdown voltage50 V
Max. forward impulse current8.3 A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AA, SMB
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Kind of packagereel, tape
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 0.6kW; 50V; 8.3A; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.