Антава

MICROCHIP

Диод MSMBJ36CAE3/TR

MSMBJ36CAE3/TR
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.6 kW
Max. off-state voltage
36 V
Breakdown voltage
40 V
Max. forward impulse current
10.3 A
Semiconductor structure
bidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMSMBJ36CAE3/TR
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.6 kW
Max. off-state voltage36 V
Breakdown voltage40 V
Max. forward impulse current10.3 A
Semiconductor structurebidirectional
КорпусDO214AA, SMB
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current1 µA
Number of channels1
Kind of packagereel, tape
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 0.6kW; 40V; 10.3A; bidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.