Антава

MICROCHIP TECHNOLOGY

Диод MSMBJ33AE3

MSMBJ33AE3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.6kW
Max. off-state voltage
33V
Breakdown voltage
36.7V
Max. forward impulse current
11.3A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMBJ33AE3
ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.6kW
Max. off-state voltage33V
Breakdown voltage36.7V
Max. forward impulse current11.3A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AA, SMB
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Рабочая температура-65...150°C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 0.6kW; 36.7V; 11.3A; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.